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中 국영 칭화유니 D램 시장 진출 선언

기사제공 : 대한민국중국경제신문
승인 19-07-10 08:46 | 최종수정 19-07-10 08:49  
 

중국 국영 반도체 기업 칭화유니(紫光集团, 쯔광그룹)가 최근 D램(DRAM) 사업군을 새롭게 조직했다고 공식 선언했다.

이는 창신메모리테크놀로지스(长鑫存储)에 이어 또 다른 중국 내부 ‘플레이어’가 D램 시장에 출사표를 던진 것이다.

업계 인사는 “관련 산업계의 수요는 물론 자주적이고 통제 가능한 입지 확보라는 관점에서도 중국의 D램 발전은 필요하다,”라면서 “하지만 이미 상대적으로 기술이 발전했고 또 일부 국가에 집중된 D램 시장에서 중국 기업이 ‘돌파구’를 찾아내는 것은 다른 집적회로에 비해 훨씬 어려운 일,”이라고 지적했다.

칭화유니의 램 시장에 대한 야심은 이미 모두 다 아는 사실로 칭화유니는 램 설계·제조 분야에서 이미 상당한 기반을 닦은 상태이다.

설계·생산·테스트·솔루션 구축부터 세계 시장에서의 양산·판매 등 관련 연구·개발(R&D)과 산업화 경험을 축적한 상황으로 산하의 시안쯔광궈신(西安紫光国芯)이 자체적으로 세계 최초의 오류정정코드(ECC) 내장형 D램 메모리 제품 라인을 생산하기도 했다.

메모리, 특히 D램 분야는 중국 집적회로 산업의 ‘약점’이자 국가적 차원에서 대대적으로 발전을 추진 중인 중점 분야로 칭화유니에 앞서 푸젠진화(福建晋华,JHICC), 창신메모리 등 다수 기업이 D램 분야에 진출했다.

창신메모리의 경우 빠르면 내년 초에 D램 양산에 돌입할 예정으로 초기 생산량이 매달 1만 개 정도가 될 전망임. 창신메모리 측은 양산을 위해 이미 550억 위안(약 9조 3,000억 원)의 충분한 자금을 준비했다고 밝혔다.

칭화유니의 향후 행보와 관련해 업계 인사는 “칭화유니가 D램 사업을 전개할 장소를 물색하고 있을 것,”이라면서 “전반 작업은 관련 공정과 기술 확보 등에 집중될 전망,”이라고 예상함. 앞서 칭화유니는 난징(南京)·충칭(重庆)·청두(成都)·광저우(广州) 등 다수 지방정부와 반도체 칩 관련 사업 협력을 선언했으며 각 사업이 평균 1,000억 위안(약 17조 원) 대의 대규모 프로젝트로 알려졌다.

한편, 한샤오민(韩晓敏) 싸이디연구원(赛迪研究院) 집적회로산업 연구센터 총경리(总经理)는 인터뷰에서 “낸드 플래시의 경우 새로운 구조와 기술 진전이 있지만 D램 특허는 기본적으로 한국의 삼성, SK하이닉스, 미국의 마이크론 테크놀로지 등 거물급 기업이 장악한 상태,”라면서 “이에 신규 진출 기업은 ‘특허’라는 장애물 뿐 아니라 인재와 기술을 어디서 확보할 것인가 등의 문제에 직면할 수밖에 없다,”라고 지적했다.

베이징=박대호 기자

 
 
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